Amplificador monolítico 139-MAR-8A 1 GHz 25 dB 65 mA diseño monolítico alto rendimiento
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Marca: SYSCOM
Modelo: 139-MAR-8A
Amplificador monolítico 139-MAR-8A 1 GHz 25 dB 65 mA, diseñado para ofrecer un alto rendimiento con diseño monolítico que mejora la integridad de señales. Ofrece un ganancia de 25 dB y un consumo de corriente de 65 mA, ideal para aplicaciones de alta frecuencia.
Características
- Diseño monolítico para mejor integridad de señales
- Alto rendimiento en bandas de frecuencia de 1 GHz
- Estabilidad y confiabilidad en operaciones continuas
- Bajo consumo de energía para aplicaciones eficientes
Beneficios
- Mejora la calidad de la señal en comunicaciones
- Reduce la pérdida de señal en conexiones largas
- Facilita la amplificación de frecuencias de radio
- Ideal para aplicaciones de alta frecuencia
- Conserva la duración de la batería en dispositivos portátiles
Aplicaciones
- Sistemas de comunicación inalámbrica
- Equipos de telecomunicaciones
- Radiocomunicaciones
- Aplicaciones de radar
- Dispositivos de transmisión de datos
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Especificaciones Técnicas
| Amplificador Monolítico MMIC | Sí |
| Frecuencia | CD-1 GHz |
| Ganho | 25 dB |
| Consumo de corriente | 65 mA |
| Modelo | MAR-8A |
| Tipo | Amplificador MMIC |
| Rango de frecuencia | 1 GHz |
Características Generales
- Amplificador Monolítico MMIC
- Rango de frecuencia: DC-1 GHz
- Bajo voltaje de operación (3.7V típico)
- Baja disipación de potencia
- Puede eliminar la necesidad de inductor de RF (RFC)
- Alta ganancia: 31.5 dB a 0.1 GHz
- Impedancia internamente acoplada a 50 Ohms
- Bajo ruido
- Estabilidad mejorada
- Protección contra transitorios de alimentación
- Conformidad RoHS
- Aguanta lavado acuoso
Especificaciones Eléctricas
- Rango de Frecuencia: DC-1 GHz
- Ganancia: 31.5 dB a 0.1 GHz / 25 dB a 1 GHz
- Retorno de entrada: 15.5 dB
- Retorno de salida: 11 dB
- Potencia de salida @ 1 dB compresión: +12.5 dBm a 1 GHz
- IP3 de salida: +25 dBm a 1 GHz
- Figura de ruido: 3.1 dB a 1 GHz
- Corriente operativa recomendada: 36 mA
- Voltaje de operación: 3.2-4.2 V (3.7 V típico)
- Resistencia térmica: 119 °C/W
Aplicaciones
- Sistemas celulares
- Instrumentación
- Comunicaciones
Ratings Máximos
- Temperatura de operación: -40°C a 85°C
- Temperatura de almacenamiento: -55°C a 100°C
- Corriente máxima: 65 mA
- Disipación de potencia: 250 mW
- Potencia de entrada: 13 dBm
Características de Diseño
- Encapsulado VV105 (Micro-X)
- Diámetro de cuerpo: 0.085'
- Acabado de terminales: estaño-plata sobre níquel
- Tape & Reel: F20
- Evaluación de PCB: TB-432-8A+
- Ambiental: ENV08T3
Clasificaciones ESD
- Modelo de cuerpo humano (HBM): Clase 2 (2000V a <4000V)
- Modelo de dispositivo cargado (CDM): Clase C4 (500V a <=1000V)
- Clasificación MSL: Nivel 1 según IPC/JEDEC J-STD-020C
