Diodo de silicio 1N1184A 100V 35A -55 a +150 °C alta capacidad de potencia diseño compacto
/ Agotado
Marca: SYSCOM
Modelo: 1N1184A
Diodo de silicio 1N1184A 100V 35A -55 a +150 °C alta capacidad de potencia diseño compacto. Diodo tipo: Potencia Estandar 1N1184A, Material: Silicio, Voltaje RMS: 70V, Corriente: 35A y Polaridad: Cátodo en Base. Sus características incluyen alta capacidad de potencia y diseño compacto DO-5, permitiendo el manejo de altas corrientes.
Características
- Alta capacidad de Potencia
- Diodo de tipo rectificador de silicio
- Amplio rango de temperatura de operación
- No sensible a electros estáticos (ESD)
- Diseño compacto en formato DO-5
Beneficios
- Permite el manejo de altas corrientes
- Eficiente en aplicaciones de potencia
- Garantiza un funcionamiento confiable en un amplio rango de temperaturas
- Resistente a daños por descargas electrostáticas
- Optimización en el espacio de diseño gracias a su empaque compacto
Aplicaciones
- Uso en fuentes de alimentación
- Rectificación de corriente alterna a continua
- Aplicaciones en equipos industriales
- Sistemas de energía renovable
- Circuitos de protección contra sobrecargas
Formas de Pago
Ofrecemos diversas opciones de pago seguras, incluyendo meses sin intereses, pagos en OXXO y créditos sin tarjeta. Además, contamos con una política de devoluciones y reembolso sencilla para tu tranquilidad.
Envíos
Después de recibir tu pago, dedicamos 24 horas para preparar y enviar tu pedido. Todos nuestros métodos de envío incluyen un código de rastreo, asegurando envíos rápidos y seguros para tu comodidad y tranquilidad.
| Terrestre | Hasta 5 días hábiles | Gratis |
| Día Siguiente | Hasta 3 días hábiles | $99.00 |
| Económico | Hasta 5 días hábiles | Gratis |
| Express | Hasta 3 días hábiles | $99.00 |
| Nacional | Hasta 5 días hábiles | Gratis |
| Terrestre | Hasta 5 días hábiles | $99.00 |
Especificaciones Técnicas
| Diodo Tipo | Potencia Estandar 1N1184A |
| Material | Silicio de Recuperación Estándar |
| Voltaje Repetitivo de Pico inverso | 100 Volt |
| Voltaje Inverso RMS | 70 Volt |
| Corriente Directa Continua | 35 Amp |
| Polaridad Estándar | Catodo en la Base |
| Temperatura de Operación | -55 a +150 °C |
| NO sensitivo a Estática (ESD) | Sí |
| Tipo de Empaque | DO-5 |
| Diodo de potencia diseñado para aplicaciones de alta corriente | Sí |
| Adecuado para sistemas que requieren alta eficiencia energética | Sí |
Características Principales
- Diodo de Silicio de Recuperación Estándar
- Tipo: Potencia Estándar 1N1184A
- Polaridad Estándar: Cátodo en la Base
- Alta Capacidad de Sobrecarga
- No Sensitivo a Descargas Electrostáticas (ESD)
- Temperatura de Operación: -55 a +150 °C
Especificaciones Eléctricas
- Voltaje Repetitivo de Pico Inverso: 100 V
- Voltaje Inverso RMS: 70 V
- Voltaje de Bloqueo DC: 100 V
- Corriente Directa Continua: 35 A
- Corriente de Sobrecarga: 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
- Voltaje Directo: 1.2 V (IF = 35 A, Tj = 25 °C)
- Corriente Inversa: 10 μA (VR = 50 V, Tj = 25 °C)
Especificaciones Térmicas
- Resistencia Térmica (Junto a Carcaza): 0.25 °C/W
- Temperatura de Almacenamiento: -55 a +150 °C
