Transistor de silicio NPN 2SC3133 27 MHz 12 V 13 W alta frecuencia bajo ruido
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Marca: SYSCOM
Modelo: 2SC3133
Transistor de Silicio NPN Epitexial 2SC3133, ideal para alta frecuencia. Frecuencia: 27 MHz, Voltaje: 12 Vcc, Potencia: 13 Watt, Encapsulado: T-30E. Ofrece baja generación de ruido y excelente manejo de potencia, perfecto para amplificación en alta frecuencia.
Características
- Transistor de alta frecuencia y bajo ruido
- Capacidad de manejo de potencia adecuada
- Diseño epitaxial que mejora las características eléctricas
- Recambio fácil gracias a su sustituto conocido
Beneficios
- Ideal para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia
- Proporciona un rendimiento confiable y duradero
- Posibilidad de operar en condiciones exigentes gracias a su alta potencia
- Facilidad de integración en circuitos gracias a su diseño estándar
Aplicaciones
- Amplificadores de radiofrecuencia
- Transmisores de audio y video
- Circuitos osciladores
- Dispositivos de conmutación
- Equipos de telecomunicaciones
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Especificaciones Técnicas
| Tipo | Transistor de Silicio NPN Epitexial |
| Frecuencia | 27 MHz |
| Voltaje de colector-emisor (Vce) | 12 Vcc |
| Potencia máxima (P) | 13 Watt |
| Encapsulado | T-30E |
| Sustituto | 2SC1945 |
| Marca | Epitexial |
| Condiciones de almacenamiento | Temperatura controlada |
| Garantía de calidad del producto | Sí |
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E
- Sustituto: 2SC1945
