Transistor de potencia mosfet IRF9Z30 50V 18A 0.14 ohm canal P bajo rds on de 140mohm alto rendimiento y fácil montaje en PCB
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Marca: SYSCOM
Modelo: IRF9Z30
Transistor de potencia MOSFET IRF9Z30, indicación Canal P, ideal para aplicaciones de alto rendimiento. Con un voltaje de drenaje a fuente de 50V, una corriente continua de 18A a 25°C, un bajo Rds On de 140mOhm y fácil montaje en PCB, este transistor es perfecto para analizador III y fuentes de alimentación conmutadas, asegurando eficiencia y fiabilidad en sus circuitos.
Características
- Transistor de potencia MOSFET optimizado para aplicaciones de alto rendimiento.
- Canal P que permite un control eficiente de la corriente.
- Bajo Rds On de 140mOhm que minimiza pérdidas de energía.
- Alta capacidad de corriente continua de 18A a 25°C.
- Voltaje de drenaje a fuente de 50V compatible con diversos circuitos.
Beneficios
- Proporciona un rendimiento mejorado en aplicaciones de potencia.
- Aumenta la eficiencia energética debido a su bajo Rds On.
- Permite un amplio rango de temperatura de operación, ideal para condiciones extremas.
- Facilita la implementación en circuitos con alta corriente, gracias a su capacidad de 18A.
- Ofrece una alta fiabilidad y durabilidad en aplicaciones exigentes.
Aplicaciones
- Adecuado para uso en analizadores y controladores de potencia.
- Ideal para circuitos de conmutación en fuentes de alimentación conmutadas.
- Utilizado en motores eléctricos y controladores de motor.
- Se emplea en convertidores DC-DC.
- Aplicaciones en sistemas de audio de alta potencia.
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Especificaciones Técnicas
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 9.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Base Product Number | IRF9Z30 |
| Transistor en encapsulado TO-220AB para fácil manejo. | Sí |
| Compatible con los estándares de la industria para su implementación en distintos dispositivos. | Sí |
Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
FET Type | P-Channel | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 9.3A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
Vgs (Max) | ±20V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V | |
FET Feature | - | |
Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) | |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Base Product Number |
