Transistor npn MRF475 30 MHz 13.6 VCC 4.0 A Potencia RF compacta en TO-220AB
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Marca: SYSCOM
Modelo: MRF475
Transistor NPN MRF475 30 MHz 13.6 VCC 4.0 A Potencia RF compacta en TO-220AB. Este transistor, fabricado en silicio, es ideal para aplicaciones de potencia RF. Con una frecuencia máxima de 30 MHz, tension máxima de 13.6 V y corriente de 4.0 Amperios, maneja hasta 10 W de potencia. Su diseño compacto permite fácil integración y optimización de eficiencia en amplificación de señales RF.
Características
- Transistor de potencia optimizado para aplicaciones de radiofrecuencia.
- Construcción en silicio para una mayor eficiencia.
- Capacidad para manejar voltajes y corrientes relativamente altos.
- Diseño compacto en encapsulado TO-220AB para fácil integración.
Beneficios
- Proporciona una alta eficiencia en la amplificación de señales RF.
- Permite un funcionamiento estable en aplicaciones de potencia.
- Su diseño permite una fácil disipación de calor, aumentando la durabilidad.
- Compatible con una variedad de circuitos electrónicos y aplicaciones.
Aplicaciones
- Amplificadores de RF en transmisores de radio.
- Equipos de comunicación por radio.
- Sistemas de transmisión de señales de televisión.
- Dispositivos de control y automatización mecatrónica.
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Especificaciones Técnicas
| Tipo | Transistor NPN |
| Aplicación | Potencia RF |
| Material | Silicio |
| Frecuencia máxima | 30 MHz |
| Tensión máxima (Vcc) | 13.6 V |
| Corriente máxima | 4.0 Amperios |
| Potencia máxima | 10 W |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Código del producto | NPN_RF_30MHz_10W |
| Categoría | Componentes electrónicos |
| Fabricante | Genérico |
Transistor NPN de potencia RF fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energética del 40%, ideal para equipos de comunicación y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuración emisor común facilita la integración en diseños de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipación térmica gracias a su resistencia térmica unión-carcasa de 12.5°C/W.
Características Principales
- Transistor NPN de potencia RF en silicio
- Frecuencia operativa hasta 30 MHz
- Tensión colector-emisor: 13.6 Vcc nominal
- Corriente máxima de colector: 4.0 A
- Potencia de salida: 10 W
- Paquete TO-220AB con configuración emisor común
Especificaciones Técnicas
Máximos Ratings Absolutos
| Corriente de colector (IC) | 4.0 A |
| Tensión colector-emisor (VCE) | 18 V |
| Tensión colector-base (VCB) | 48 V |
| Disipación de potencia (PD) | 10 W @ TC = 25°C |
| Temperatura de almacenamiento (TSTG) | -65°C a +150°C |
| Temperatura de unión (TJ) | -65°C a +150°C |
Características Térmicas
| Resistencia térmica unión-carcasa (θJ-C) | 12.5°C/W |
Características Eléctricas
| BVCEO @ IC = 20 mA | 18 V |
| BVCES @ IC = 50 mA | 48 V |
| BVEBO @ IE = 5.0 mA | 4.0 V |
| ICBO @ VCB = 25 V | 1.0 mA |
| hFE @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA | 30-60 |
| COB @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz | 125-145 pF |
| Ganancia de potencia (GP) | 10-12 dB |
| Eficiencia (η) @ POUT = 12 W PEP, VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA | 40% |
| Distorsión de intermodulación (IMD) | -30 dB |
Configuración Física
| Paquete | TO-220AB (Common Emitter) |
| Pin 1 | Base |
| Pin 2 | Colector |
| Pin 3 | Emisor |
| Tab (aleta de disipación) | Colector |
