Transistor de potencia 2SC-3320 500 V 15 A 80 W alto Transistor de potencia 2SC-3320 500 V 15 A 80 W alto
Transistor de potencia 2SC-3320 500 V 15 A 80 W alto
2SC-3320

Transistor de potencia 2SC-3320 500 V 15 A 80 W alto voltaje alta velocidad

$ 122.66 $ 125.84

Marca: SYSCOM PARTS

Modelo: 2SC-3320

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Transistor de potencia 2SC-3320 500 V 15 A 80 W alto voltaje alta velocidad. Este transistor de potencia en silicio tipo NPN presenta un voltaje máximo de 500 V, una corriente máxima de 15 A y una potencia disipada de 80 W. Su empaque TO-3PM brinda alta confiabilidad y velocidad de conmutación, mejorando la eficiencia en aplicaciones eléctricas.

Características

  • Alto Voltaje
  • Alta velocidad de conmutación
  • Empaque TO-3PN
  • Alta confiabilidad

Beneficios

  • Mejora la eficiencia en aplicaciones eléctricas
  • Proporciona un rendimiento confiable bajo condiciones extremas
  • Compatible con una variedad de circuitos
  • Reduce el tiempo de conmutación, aumentando el rendimiento del sistema

Aplicaciones

  • Reguladores de Switcheo
  • Generadores Ultrasónicos
  • Inversores de Alta Frecuencia
  • Amplificadores de Potencia de Uso General
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Especificaciones Técnicas

Tipo Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN
Voltaje máximo (Vc-b) 500 V
Corriente máxima (Ic) 15 A
Potencia disipada 80 Watt
Tipo de empaque TO-3PM
Ideal para aplicaciones industriales Sí
Uso recomendado en entornos exigentes Sí
Excelente manejo térmico Sí

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio para alta potencia
  • Voltaje de colector a base hasta 500 V
  • Corriente máxima de 15 A
  • Capacidad de disipación hasta 80 Watt
  • Empaque TO-3PN para alta confiabilidad

Aplicaciones

  • Reguladores de Switcheo
  • Generadores Ultrasónicos
  • Inversores de Alta Frecuencia
  • Amplificadores de Potencia de Uso General
Características Eléctricas
  • VCBO: 500 V (Colector-Base)
  • VCEO: 400 V (Colector-Emisor)
  • VEBO: 7 V (Emisor-Base)
  • IC: 15 A (Corriente de Colector)
  • PC: 80 W (Disipación de Potencia)
Especificaciones Técnicas
  • Tensión de ruptura V(BR)CEO: 400 V
  • Tensión de ruptura V(BR)CBO: 500 V
  • VCEsat: 1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
  • VBEsat: 1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
  • Corriente de fuga ICBO: 1.0 mA (VCB=500V, IE=0)
Características Térmicas
  • Rth(j-c): 1.56 °C/W (Resistencia térmica)
  • Tj: 150 °C (Temperatura de unión)
  • Tstg: -65~150 °C (Almacenamiento)
Conexiones (TO-3PN)
  • Pin 1: Base
  • Pin 2: Colector (conectado a base de montaje)
  • Pin 3: Emisor
Tiempo de Conmutación
  • ton: 0.5 µs
  • ts: 1.5 µs (IB2=-3A, RL=20Ω)
  • tf: 0.15 µs
Ganancia de Corriente
  • hFE: 10 (IC=6A, VCE=5V)