Mosfet de potencia 50-N-06 canal n 50 a 60 v alto rendimiento construcción robusta
/ Ahorra 1%
Marca: SYSCOM PARTS
Modelo: 50-N-06
Mosfet de potencia 50-N-06 canal N 50 A 60 V alto rendimiento construcción robusta. Este MOSFET de potencia utiliza el proceso MegaFET para una optimización del uso de silicio y tiene características similares a circuitos integrados LSI. Ofrece rendimiento excepcional y está diseñado para aplicaciones de alta potencia, mejorando la eficiencia en sus circuitos.
Características
- Rendimiento excepcional
- Diseñados para aplicaciones de alta potencia
- Compatibilidad con circuitos integrados
- Eficiencia energética
- Construcción robusta
Beneficios
- Mejor rendimiento en aplicaciones de conmutación
- Menor consumo de energía
- Mayor durabilidad y fiabilidad
- Facilidad de integración en circuitos complejos
- Reducción de costos operativos en sistemas eléctricos
Aplicaciones
- Reguladores de conmutación
- Convertidores de conmutación
- Controladores de motores
- Controladores de relés
Formas de Pago
Ofrecemos diversas opciones de pago seguras, incluyendo meses sin intereses, pagos en OXXO y créditos sin tarjeta. Además, contamos con una política de devoluciones y reembolso sencilla para tu tranquilidad.
Envíos
Después de recibir tu pago, dedicamos 24 horas para preparar y enviar tu pedido. Todos nuestros métodos de envío incluyen un código de rastreo, asegurando envíos rápidos y seguros para tu comodidad y tranquilidad.
| Terrestre | Hasta 5 días hábiles | Gratis |
| Día Siguiente | Hasta 3 días hábiles | $99.00 |
| Económico | Hasta 5 días hábiles | Gratis |
| Express | Hasta 3 días hábiles | $99.00 |
| Nacional | Hasta 5 días hábiles | Gratis |
| Terrestre | Hasta 5 días hábiles | $99.00 |
Especificaciones Técnicas
| Tipo | MOSFET de potencia |
| Canal | N |
| Proceso de fabricación | MegaFET |
| Características similares a circuitos integrados LSI | Sí |
| Optimización del uso de silicio | Sí |
| Función directa desde circuitos integrados | Sí |
| Uso en entornos industriales y comerciales | Sí |
| Alta capacidad de manejo de corriente | Sí |
Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI, ofrece una utilización óptima del silicio, lo que se traduce en un rendimiento excepcional. Se han diseñado para su uso en aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Estos transistores pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.
