Transistor NPN B2-160 175 MHz 12.5 VCC 100 Watt fácil implementación alta durabilidad
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Marca: TPL COMMUNICATIONS
Modelo: B2-160
Transistor NPN B2-160 175 MHz 12.5 VCC 100 Watt, fácil implementación y alta durabilidad. Diseñado en silicón, opera a 175 MHz y soporta hasta 100 Watt.
Características
- Transistor NPN, fácil de implementar en circuitos
- Alta frecuencia de operación hasta 175 MHz
- Manejo de voltajes hasta 12.5 Vcc
- Capacidad de soportar hasta 100 Watt de potencia
- Construcción en silicón para mayor durabilidad
Beneficios
- Permite un funcionamiento eficiente en circuitos electrónicos
- Ideal para aplicaciones de alta frecuencia
- Versatilidad en diseño debido a la amplia gama de voltaje
- Durabilidad gracias a su material en silicón
- Aumenta el rendimiento del sistema al manejar altas potencias
Aplicaciones
- Amplificadores de audio
- Fuentes de alimentación
- Transmisores de radio
- Sistemas de comunicación
- Equipos de medición y diagnóstico
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Especificaciones Técnicas
| Tipo | Transistor NPN |
| Material | Silicón |
| Frecuencia | 175 MHz |
| Voltaje máximo | 12.5 Vcc |
| Potencia máxima | 100 Watt |
| Dimensiones | No especificadas |
| Peso | No especificado |
| Código de producto | SD1477 |
Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relación de ganancia de 6.0 dB, ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energética y características térmicas controladas permiten operación sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga están especificadas para facilitar el diseño de redes de adaptación en circuitos de RF profesionales.
Características Generales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
- Potencia de salida máxima de 100 W
- Voltaje de colector de 12.5 Vcc
- Diseño robusto para alta eficiencia energética
- Aplicaciones: sistemas de comunicación VHF, transmisores FM, amplificadores de potencia RF
Especificaciones RF
- Frecuencia: 175 MHz
- Potencia de salida: 100 W
- Relación de ganancia: 6.0 dB
- Impedancia entrada: 1.5 - j0.9 Ω
- Impedancia carga: 0.5 - j1.0 Ω
Especificaciones Eléctricas
- Voltaje colector-base (VCBO): 36 V
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 18 V
- Voltaje emisor-base (VEBO): 4.0 V
- Corriente de colector (IC): 20 A
- Disipación de potencia: 270 W
Especificaciones Térmicas
- Resistencia térmica (junto-case, RθJC): 0.65 °C/W
- Temperatura de almacenamiento: -65 a +200 °C
