Transistor bipolar NPN B2-223 160 MHz 13.6 V 40 W alta frecuencia para amplificación
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Marca: TPL COMMUNICATIONS
Modelo: B2-223
Transistor Bipolar NPN SD1275-01, ideal para aplicaciones de amplificación con alta frecuencia de operación hasta 160 MHz. Opera a un voltaje de colector de 13.6 V y soporta hasta 40 Watt, ofreciendo un rendimiento superior en dispositivos de amplificación de señal.
Características
- Alta frecuencia de operación hasta 160 MHz
- Transistor tipo NPN para aplicaciones de amplificación
- Capacidad de manejar hasta 40 Watt de potencia
- Diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia
Beneficios
- Ofrece un rendimiento superior en dispositivos de amplificación de señal
- Proporciona una operación estable a altas frecuencias
- Eficiente en energía gracias a su diseño optimizado
- Versatilidad en aplicaciones electrónicas
- Facilita la integración en circuitos existentes
Aplicaciones
- Uso en amplificadores de RF
- Aplicaciones de comunicaciones de radio
- Transmisores y receptores de señales
- Circuitos de audio
- Componentes en radios y televisores
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Especificaciones Técnicas
| Tipo | Transistor Bipolar NPN |
| Frecuencia máxima | 160 MHz |
| Voltaje de colector (Vcc) | 13.6 V |
| Potencia máxima | 40 Watt |
| Modelo | SD1275-01 |
| Fabricante | Información no disponible |
| Embalaje | Diálogo sin especificar |
Transistor bipolar NPN diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en banda VHF, optimizado para operación a 160 MHz con potencia de salida de 40 W. Su configuración de emisor común y alimentación a 13.6 Vcc lo hacen ideal para sistemas de comunicaciones profesionales. El diseño térmico eficiente permite manejar disipaciones de hasta 70 W manteniendo estabilidad en condiciones exigentes. La impedancia de entrada caracterizada (1.0 + j0.4 a 160 MHz) facilita el acoplamiento con etapas driver en diseños de amplificadores RF.
Características Principales
- Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
- Potencia de salida de 40 W con 5 W de excitación
- Operación estable a 13.6 Vcc
- Diseño compacto con eficiencia térmica optimizada
- Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas
- Impedancia Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz
