B2-224

Transistor mosfet B2-224 70w 175mhz 64% eficiencia puerta protegida

$ 2,127.50 $ 2,100.34
Ahorra 1% Agotado

Marca: TPL COMMUNICATIONS

Modelo: B2-224


Transistor MOSFET B2-224 de TPL COMMUNICATIONS, diseño ideal para radios móviles VHF/UHF. Ofrece 75W a 530MHz, 84W a 175MHz, eficiencia de drenaje de hasta 74%25, y cuenta con protección de puerta integrada. Se presenta en cinta y carrete para fácil manejo y almacenamiento.

Características

  • Suministro en cinta y carrete (500 unidades por carrete)
  • Embalaje en molde
  • Alta potencia y alta eficiencia
  • Diodo de protección de puerta integrado

Beneficios

  • Optimiza el rendimiento en amplificadores de RF VHF/UHF
  • Facilidad de manejo y almacenamiento por su presentación en cinta y carrete
  • Mayor eficiencia energética que reduce el consumo
  • Durabilidad y confiabilidad en aplicaciones críticas

Aplicaciones

  • Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en radios móviles VHF/UHF
Formas de Pago

Ofrecemos diversas opciones de pago seguras, incluyendo meses sin intereses, pagos en OXXO y créditos sin tarjeta. Además, contamos con una política de devoluciones y reembolso sencilla para tu tranquilidad.

Tarjeta de Débito / Crédito
Visa Mastercard Amex
Meses sin intereses Meses con intereses
Depósito Bancario
BBVA Santander Banamex HSBC Banorte Banco Azteca
Mercado Pago
Mercado Pago
Tarjetas Saldo en cuenta Meses sin intereses
Depósito en OXXO
Oxxo Cricle K
Envíos

Después de recibir tu pago, dedicamos 24 horas para preparar y enviar tu pedido. Todos nuestros métodos de envío incluyen un código de rastreo, asegurando envíos rápidos y seguros para tu comodidad y tranquilidad.

Estafeta
Terrestre Hasta 5 días hábiles Gratis
Día Siguiente Hasta 3 días hábiles $99.00
Fedex
Económico Hasta 5 días hábiles Gratis
Express Hasta 3 días hábiles $99.00
PaqueteExpress
Nacional Hasta 5 días hábiles Gratis
DHL
Terrestre Hasta 5 días hábiles $99.00

Especificaciones Técnicas

Tipo Transistor MOS FET
Frecuencia VHF/UHF
Potencia de salida (Pout) 75W típica @ 530MHz
Eficiencia de drenaje 64% típica @ Vds=12.5V Idq=1.0A Pin=5.5W
Potencia de salida (Pout) 84W típica @ 175MHz
Eficiencia de drenaje 74% típica @ Vds=12.5V Idq=1.0A Pin=4.0W
Protección de puerta integrada
Cumple con RoHS
Cumplimiento con RoHS con indicación de la letra 'G' después de la marca del lote
Incluye plomo en soldaduras de alta temperatura de fusión (más del 85% de plomo)


DESCRIPTION
RD70HUF2 is MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF power amplifiers applications.

FEATURES
1. Supply with Tape and Reel. 500 Units per Reel 2. Employing Mold Package
3. High Power and High Efficiency
Pout=75Wtyp, Drain Effi.=64%typ 
@ Vds=12.5V Idq=1.0A Pin=5.5W   f=530MHz
Pout=84Wtyp, Drain Effi.=74%typ
@ Vds=12.5V Idq=1.0A Pin=4.0W  f=175MHz
4. Integrated gate protection diode

APPLICATION
For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF band mobile radio sets.

RoHS COMPLIANT
RD70HUF2 is a RoHS compliant product. RoHS compliance is indicating by the letter “G” after the Lot Marking. This product includes the lead in high melting temperature type solders.
However, it is applicable to the following exceptions of RoHS Directions.
1. Lead in high melting temperature type solders. (i.e. tin-lead solder alloys containing more than85% lead.)