Tarjeta micro sd HS-TF-E3/128G 128 gb 180 mb/s lectura 150 mb/s escritura alta velocidad optimizada para 4k
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Marca: HIKSEMI by HIKVISION
Modelo: HS-TF-E3/128G
La Tarjeta micro SD HS-TF-E3/128G de HIKSEMI ofrece 128 GB de capacidad con velocidades de lectura de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s. Diseñada en formato Micro SDXC, utiliza el sistema de archivos exFAT y cuenta con una clase de velocidad 10, U3 y certificación A2. Optimizada para captura de imágenes y videos en 4K, garantiza alta velocidad y rendimiento excepcional.
Características
- Tarjeta Micro Serie CAPTURE
- Alta velocidad de lectura y escritura
- Optimizada para imágenes de alta calidad y vídeos 4K
- Soporte para múltiples capacidades
- Certificación de rendimiento A2
Beneficios
- Experimenta velocidades ultra rápidas en transferencia de datos
- Captura momentos inolvidables sin perder detalles
- Rendimiento excepcional en grabación de vídeos 4K
- Fiabilidad y velocidad en las memorias digitales
- Libertad para elegir entre varias capacidades
Aplicaciones
- Ideal para cámaras digitales y smartphones
- Perfecta para grabación de vídeos en resolución 4K
- Adecuada para almacenamiento de aplicaciones móviles
- Uso en drones y dispositivos de acción
- Compatible con cámaras de seguridad
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| Nacional | Hasta 5 días hábiles | Gratis |
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Especificaciones Técnicas
| Formato | Micro SDXC |
| Capacidad | 128 GB |
| Velocidad de Lectura | 180 MB/s |
| Velocidad de Escritura | 150 MB/s |
| Sistema de Archivos | exFAT |
| Velocidad | Clase 10, U3, V30 |
| Certificación | A2 |
| Memoria Flash NAND | TLC (Triple-Level Cell) |
| Dimensiones | 14.99 x 10.92 x 1.02 mm (0.59 x 0.43 x 0.04 in) |
| Temperatura de Operación | -25 °C a 85 °C |
| Marca | HIKSEMI |
| Tipo de producto | Unidad de Estado Sólido |
| Slogan | Mantenga la memoria, disfrute de su disparo |
Memoria microSDXC de 128 GB diseñada para aplicaciones de captura de video de alta resolución en drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades secuenciales de lectura de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, cumpliendo con los estándares V30, U3 y A2 para garantizar la grabación continua de contenido 4K y el desempeño de aplicaciones instaladas. La arquitectura NAND TLC incorpora algoritmos avanzados de wear leveling que distribuyen uniformemente los ciclos de escritura, extendiendo la durabilidad del dispositivo. Su encapsulado resiste condiciones ambientales severas, incluyendo rangos térmicos de -25°C a 85°C, inmersión en agua, impactos mecánicos, radiación de rayos X, campos magnéticos y descargas electrostáticas.
Características Generales
- Capacidad: 128 GB
- Velocidad de lectura secuencial: 180 MB/s
- Velocidad de escritura secuencial: 150 MB/s
- Clase de velocidad: V30, U3, A2, Clase 10
- Tipo de memoria: NAND TLC
- Wear leveling avanzado integrado
- Rango de temperatura operativa: -25°C a 85°C
- Resistencia a agua, golpes, rayos X, magnetismo y electricidad estática
Desempeño
- Lectura secuencial: 180 MB/s
- Escritura secuencial: 150 MB/s
- Clase de aplicación: A2
- Clase de video: V30
- Clase UHS: U3
- Clase de velocidad: Clase 10
- Tecnología NAND: TLC con wear leveling avanzado
Físicas y Ambientales
- Formato: microSDXC
- Temperatura operativa: -25°C a 85°C
- Resistencia al agua: Sí
- Resistencia a impactos y vibraciones: Sí
- Resistencia a rayos X: Sí
- Resistencia a magnetismo: Sí
- Resistencia a electricidad estática: Sí
Contenido del Paquete
- Memoria microSDXC HIKSEMI CAPTURE E3 de 128 GB
- Adaptador SD (según configuración de empaque del fabricante)
