Mosfet canal-n IRF-640 200v 18a TO-220AB alta eficiencia bajo rds(on)
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Marca: SYSCOM
Modelo: IRF-640
Mosfet canal-n IRF-640 200v 18a TO-220AB alta eficiencia bajo rds(on). Tipo: MOSFET Canal-N, Voltaje máximo: 200 V, Corriente máxima: 18 Amp, Potencia: 125 Watt, Encapsulado: TO-220AB. Alta eficiencia en la conmutación y diseño compacto para aplicaciones de espacio limitado. Permite una operación eficiente en circuitos de potencia.
Características
- Alta eficiencia en la conmutación
- Bajo RDS(on) para menor pérdida de energía
- Alta capacidad de manejo de corriente
- Diseño compacto para aplicaciones de espacio limitado
- Alta fiabilidad y durabilidad
Beneficios
- Permite una operación eficiente en circuitos de potencia
- Reduce el calentamiento, mejorando la longevidad del dispositivo
- Facilita un diseño simplificado en electrónica del consumidor
- Proporciona un alto desempeño en aplicaciones de conmutación
- Optimiza el uso de energía eléctrica en aplicaciones industriales
Aplicaciones
- Controladores de motores
- Fuentes de alimentación conmutadas
- Circuitos de conmutación
- Equipos de audio y video
- Aplicaciones de electrónica de potencia
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Especificaciones Técnicas
| Tipo | MOSFET Canal-N |
| Voltaje máximo | 200 V |
| Corriente máxima | 18 Amp |
| Potencia | 125 Watt |
| Encapsulado | TO-220AB |
| Fabricante | (especificar si se conoce) |
| Disponibilidad | En stock |
| Garantía | (especificar si se conoce) |
Transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y control de potencia en equipos electrónicos industriales. Soporta tensiones de operación de hasta 200 V con capacidad de corriente continua de 18 A, permitiendo su uso en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y controladores de motores. La disipación máxima de potencia de 125 W garantiza estabilidad térmica en condiciones de carga elevada. El encapsulado TO-220AB facilita la instalación mecánica y la conexión a disipadores de calor convencionales, optimizando la gestión térmica en diseños compactos.
Características Generales
- • Tipo: MOSFET Canal N
- • Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 200 V
- • Corriente continua de drenaje (ID): 18 A
- • Disipación de potencia máxima (PD): 125 W
- • Encapsulado: TO-220AB
- • Aplicación: Conmutación de alta velocidad
Desempeño Eléctrico
- Voltaje drenaje-fuente: 200 V
- Corriente de drenaje: 18 A
- Disipación de potencia: 125 W
Físicas y Térmicas
- Encapsulado: TO-220AB
- Montaje: Through-hole con orificio
- Compatible con disipadores estándar
Contenido del Paquete
- 1 × Transistor MOSFET IRF640
