Transistor de potencia MRF-1517-T1 8 W 520 MHz ganancia 11 dB diseñado para amplificadores de gran señal alto rendimiento en banda ancha
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Marca: SYSCOM PARTS
Modelo: MRF-1517-T1
Transistor de potencia MRF-1517-T1, 8 W, 520 MHz, ganancia 11 dB, diseñado para amplificadores de gran señal, alto rendimiento en banda ancha. Frecuencia máxima de 520 MHz, potencia de salida de 8 Watts, eficiencia del 55%25 y estabilidad térmica excelente, ideal para aplicaciones comerciales e industriales.
Características
- Diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha
- Alto rendimiento en frecuencias de hasta 520 MHz
- Ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal
- Caracterizado para un rendimiento especificado en 7.5 Volts
- Capacidad para manejar altas relaciones de ondas estacionarias (VSWR)
Beneficios
- Proporciona alta ganancia y rendimiento en aplicaciones de radiofrecuencia
- Eficiente en términos de energía con un 55%25 de eficiencia
- Ofrece excelente estabilidad térmica, protegiendo el dispositivo en condiciones de operación
- Capacidad de proporcionar 8 Watts de potencia de salida, ideal para equipos FM portátiles
Aplicaciones
- Amplificadores de fuente común para equipos FM portátiles
- Uso en comunicaciones comerciales e industriales
- Aplicaciones en sistemas de transmisión de radio
- Ideal para proyectos de radiofrecuencia que requieren alta fiabilidad
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Especificaciones Técnicas
| Frecuencia máxima | hasta 520 MHz |
| Potencia de salida | 8 Watts |
| Ganancia de potencia | 11dB |
| Eficiencia | 55% |
| Impedancia de señal grande equivalente en serie | Sí |
| Estabilidad térmica | excelente |
| Manejo de 20 | 1 VSWR @ 9.5 Vcc, 520 MHz |
| Sobremodulación | 2 dB |
| Envase | plástico de montaje superficial de potencia RF |
| Tipo de transistor | MRF1517T1 |
| Tecnología | placa de montaje superficial |
| Diseño de alto rendimiento para un uso específico en audio y comunicaciones | Sí |
Transistor de RF tipo N de alta potencia diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7.5 voltios. Ofrece potencia de salida de 8 watts con ganancia de potencia de 11 dB y eficiencia del 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie, presenta excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de VSWR 20:1. Su encapsulado de plástico SMD permite montaje superficial optimizado para producción en serie.
Características principales
- Transistor RF tipo N de alta potencia
- Frecuencia máxima de operación: 520 MHz
- Potencia de salida: 8 W
- Voltaje de operación: 7.5 Vcc
- Ganancia de potencia: 11 dB
- Eficiencia en RF: 55%
- Diseño SMD para montaje superficial
- Excelente estabilidad térmica
- Manejo de VSWR 20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie
Especificaciones técnicas
Aplicaciones típicas
- Amplificadores de fuente común de gran señal
- Equipos FM portátiles de 7.5 V
- Aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha
- Sistemas de comunicación en frecuencias hasta 520 MHz
