Transistor de potencia RD70HUF2 70W 175530MHz 64% eficiente Diodo de protección
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Marca: RF PARTS
Modelo: RD70HUF2
Transistor de potencia RD70HUF2 70W 175530MHz 64%25 eficiente Diodo de protección. Este transistor MOSFET está diseñado para operar en frecuencias de 175 / 530 MHz, con una potencia de salida de 70W y una eficiencia de drenaje del 64%25 a 12.5V. Ideal para amplificadores de potencia VHF/UHF, cuenta con un diodo de protección integrado que asegura una operación confiable, y se suministra en un paquete resistente con posibilidad de adquirir 500 unidades por carrete, garantizando durabilidad y rendimiento.
Características
- Diseñado específicamente para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.
- Emplea un paquete moldeado para mayor durabilidad y rendimiento.
- Alta potencia y eficiencia en la operación.
Beneficios
- Proporciona una solución eficiente para amplificadores de alta potencia.
- Reduce el riesgo de daño al circuito gracias al diodo de protección integrado.
- Permite una operación confiable en frecuencia VHF y UHF.
Aplicaciones
- Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF para radios móviles.
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Especificaciones Técnicas
| Tipo | Transistor MOSFET |
| Frecuencia | 175 / 530 MHz |
| Potencia de salida (Pout) | 70W |
| Eficiencia de drenaje (Drain Efficiency) | 64% (typ) @ Vds = 12.5V, Idq = 1.0A, Pin = 5.5W, f = 530MHz |
| Potencia de salida (Pout) | 84W (typ) @ Vds = 12.5V, Idq = 1.0A, Pin = 4.0W, f = 175MHz |
| Diodo integrado de protección de la puerta | Sí |
| Packaging | Suministro con cinta y carrete |
| Cantidad por carrete | 500 Unidades |
| Nombre del producto | RD70HUF2 |
| Tipo de producto | Transistor de potencia MOSFET |
Características principales
- Potencia de salida de hasta 84W típicamente
- Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
- Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete
- Diodo integrado de protección para la puerta
- Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
Especificaciones eléctricas
- Tensión drenaje-fuente: 40V (máx.)
- Tensión puerta-fuente: -5/+10V
- Disipación del canal: 300W
- Corriente de drenaje: 20A (máx.)
- Temperatura de canal: 175°C
- Resistencia térmica: 0.5°C/W
Desempeño RF
- Potencia de salida: 84W típico a 175MHz
- Eficiencia: 74% típico a 175MHz
- Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz
- Potencia de salida: 75W típico a 530MHz
- Eficiencia: 64% típico a 530MHz
- Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz
Evaluación y prueba
- Evaluación en placa de prueba VHF
- Impedancia característica: 50Ω
- Material del sustrato: Epoxi de vidrio
- Const. dieléctrica: 4.8 @1GHz
- Tangente de pérdida: 0.018 @1GHz
- Documentación: AN-VHF-049
Componentes asociados
- Capacitores cerámicos de alta Q
- Bobinas de precisión
- Resistencias de chip SMD
- Capacitores electrolíticos de 220μF
