Transistor de potencia RD70HUP2 175 530 mhz 70 watt 12.5 vcc Suministro con cinta y carrete Diodo de protección integrado
/ Ahorra 1% Agotado
Marca: SYSCOM
Modelo: RD70HUP2
Transistor de potencia RD70HUP2 175 530 MHz 70 Watt 12.5 Vcc. Este transistor MOSFET ofrece una impresionante potencia máxima de 70 Watt y es ideal para amplificadores de potencia VHF/UHF RF. Con una frecuencia de operación de 175 / 530 MHz, proporciona una salida típica de 75W a 530 MHz con una eficiencia de drenaje del 64%25. Suministrado en cinta y carrete, cuenta con un diodo de protección integrado.
Características
- Suministro con cinta y carrete (500 unidades por carrete)
- Emplea un paquete de molde
- Alta potencia y alta eficiencia
- Diodo integrado de protección de la puerta
Beneficios
- Diseñado específicamente para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF/UHF RF
- Proporciona un rendimiento eficiente y potencia adecuada para radios móviles
- Incorpora protección de puerta para mayor durabilidad del producto
Aplicaciones
- Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles
Formas de Pago
Ofrecemos diversas opciones de pago seguras, incluyendo meses sin intereses, pagos en OXXO y créditos sin tarjeta. Además, contamos con una política de devoluciones y reembolso sencilla para tu tranquilidad.
Envíos
Después de recibir tu pago, dedicamos 24 horas para preparar y enviar tu pedido. Todos nuestros métodos de envío incluyen un código de rastreo, asegurando envíos rápidos y seguros para tu comodidad y tranquilidad.
| Terrestre | Hasta 5 días hábiles | Gratis |
| Día Siguiente | Hasta 3 días hábiles | $99.00 |
| Económico | Hasta 5 días hábiles | Gratis |
| Express | Hasta 3 días hábiles | $99.00 |
| Nacional | Hasta 5 días hábiles | Gratis |
| Terrestre | Hasta 5 días hábiles | $99.00 |
Especificaciones Técnicas
| Transistor de Potencia MOSFET | Sí |
| Frecuencia de operación | 175 / 530 MHz |
| Potencia máxima | 70 Watt |
| Tensión de alimentación | 12.5 Vcc |
| Salida típica a 530 MHz | 75W, Eficiencia de drenaje 64% |
| Salida típica a 175 MHz | 84W, Eficiencia de drenaje 74% |
| Corriente de drenaje | 1.0A |
| Potencia de entrada a 530 MHz | 5.5W |
| Potencia de entrada a 175 MHz | 4.0W |
| Modelo | RD70HUP2 |
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt, 12.5 Vcc.
DESCRIPCIÓN
RD70HUP2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.
CARACTERISTICAS
1. Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete
2. Empleando el paquete de molde
3. Alta potencia y alta eficiencia
Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz
Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz
4. Diodo integrado de protección de la puerta.
APLICACION
Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.
