Mosfet canal-n STP-40N20 200 V 40 A TO-220AB diseñado para Mosfet canal-n STP-40N20 200 V 40 A TO-220AB diseñado para
Mosfet canal-n STP-40N20 200 V 40 A TO-220AB diseñado para
STP-40N20

Mosfet canal-n STP-40N20 200 V 40 A TO-220AB diseñado para alta eficiencia y baja capacitancia

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Marca: SYSCOM PARTS

Modelo: STP-40N20

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Descubre el Mosfet Canal-N STP-40N20, diseñado para alta eficiencia y baja capacitancia. Este componente soporta un voltaje máximo de 200 V, una corriente máxima de 40 A y una potencia máxima de 160 W, encapsulado en TO-220AB. Fabricado por STMicroelectronics, cuenta con un proceso exclusivo STripFET y minimiza la capacitancia de entrada, ofreciendo alta eficiencia en aplicaciones de energía renovable.

Características

  • Diseñado con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics
  • Minimiza la capacitancia de entrada
  • Minimiza la carga de puerta
  • Adecuado para aplicaciones de alta eficiencia

Beneficios

  • Alta eficiencia en convertidores CC-CC aislados
  • Reducción de pérdidas por conmutación
  • Menor calentamiento durante la operación
  • Facilita el diseño de circuitos gracias a sus características optimizadas

Aplicaciones

  • Interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados
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Especificaciones Técnicas

Tipo MOSFET Canal-N
Voltaje máximo 200 V
Corriente máxima 40 A
Potencia máxima 160 W
Encapsulado TO-220AB
Fabricante STMicroelectronics
Serie STripFET

MOSFET de canal N fabricado con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics, diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Este componente de potencia soporta 200 V y 40 A con disipación de 160 W, resultando adecuado como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados de alta eficiencia. Su arquitectura optimizada para conmutación de alta velocidad lo posiciona como solución preferente en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y sistemas de gestión energética industrial donde se requieren transiciones rápidas y pérdidas mínimas de conmutación.

Características Generales

  • • Tipo: MOSFET Canal-N
  • • Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 200 V
  • • Corriente continua de drenaje (ID): 40 A
  • • Disipación de potencia: 160 W
  • • Proceso de fabricación: STripFET
  • • Encapsulado: TO-220AB
  • • Aplicación primaria: Interruptor en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia

Desempeño Eléctrico

  • Voltaje máximo: 200 V
  • Corriente máxima: 40 A
  • Potencia disipación: 160 W
  • Capacitancia de entrada minimizada
  • Carga de puerta reducida

Físico / Mecánico

  • Encapsulado: TO-220AB
  • Montaje: A través de orificio (THT)
  • Compatible con disipadores estándar
  • Terminales: Drenaje, Fuente, Puerta

Contenido del Paquete

  • 1 × MOSFET STP40N20
  • Encapsulado TO-220AB