Protector de datos T-DPR-GE Gigabit ethernet 10/100/1000 mbps Diodo de avalancha de silicio Alta protección contra sobretensiones
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Marca: TRANSTECTOR
Modelo: T-DPR-GE
Protector de datos T-DPR-GE Gigabit Ethernet 10/100/1000 Mbps. Utiliza tecnología de Diodo de Avalancha de Silicio (SASD) y cuenta con protección bidireccional. Compatible con RJ45, ideal para racks de 19” y 23”. Velocidad de transmisión de hasta 1 Gbps con voltaje máximo de 6 Vpk. Garantiza la mejor protección para equipos de red IP, minimizando costos de reparación.
Características
- Utiliza diodos de avalancha de silicio (SASD) que no se degradan
- Más rápida respuesta frente a sobretensiones
- Mayor rendimiento en protección de equipos
- Protección de equipos electrónicos contra transitorios
- Compatible con Gigabit Ethernet
Beneficios
- Minimiza los costos de reparación de equipos electrónicos
- Ofrece la mejor protección para equipos de red IP
- Aumenta la vida útil de los equipos electrónicos
- Garantiza una operación continua y eficiente de la red
- Facilita la instalación en diferentes tipos de racks
Aplicaciones
- Protección de equipos de red IP
- Uso en gabinetes o cajas NEMA
- Instalación en rieles de cobre
- Implementaciones en centros de datos
- Entornos industriales que requieren alta protección
Formas de Pago
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Especificaciones Técnicas
| Tecnología | Diodo de Avalancha de Silicio (SASD) |
| Protección bidireccional en carga y línea | Sí |
| Protocolo | Gigabit Ethernet |
| Velocidad de datos | 10/100/1000 Mbps |
| Voltaje máximo de operación | 6 Vpk |
| Pines Protegidos | (1,2)(3,6)(4,5) y (7,8) |
| Conectores | RJ45 |
| Impedancia | 85 a 110 ohms |
| Tipo de montaje | Para racks de 19” (48 cm) y 23” (58 cm) o en riel |
| Temperatura de operación | -40° a 75° C |
| Recomendado para instalar en rieles de cobre dentro de gabinetes | Sí |
| Altamente resistente a temperaturas extremas | Sí |
| Ideal para instalaciones interiores y exteriores | Sí |
Este protector de datos para Gigabit Ethernet utiliza tecnología SASD con diodos de avalancha de silicio, ofreciendo protección permanente sin degradación por transitorios eléctricos. A diferencia de los protectores basados en varistores de óxido de metal (MOV) que se degradan con el tiempo, los diodos de avalancha de silicio mantienen su rendimiento óptimo tras múltiples eventos de sobretensión. Su diseño bidireccional protege los pines críticos de red en ambas direcciones, mientras que su compatibilidad con montaje en rack 19' y 23' (0.6 m y 0.7 m) facilita su integración en centros de datos y salas de equipos. La respuesta ultrarrápida y el alto rendimiento minimizan costos operativos al reducir fallos de equipos electrónicos sensibles.
Características principales
- Tecnología SASD con diodo de avalancha de silicio
- Protección permanente sin degradación por transitorios eléctricos
- Velocidad de datos hasta 1000 Mbps Gigabit Ethernet
- Protección bidireccional en pines críticos de red
- Voltaje máximo de operación 6 Vpk
- Diseño para montaje en rack 19' y 23' (0.6 m y 0.7 m)
